磁控直流輝光等離子體放電特性

2010-03-19 萬(wàn)樹(shù)德 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)近代物理系

  利用自制實(shí)驗(yàn)教學(xué)用的磁控直流輝光等離子體實(shí)驗(yàn)裝置,如圖1所示1,為我校理學(xué)院二年級(jí)學(xué)生開(kāi)設(shè)研究性的實(shí)驗(yàn)課。旨在培養(yǎng)學(xué)生從事科學(xué)實(shí)驗(yàn)研究的動(dòng)手能力。我們采取在學(xué)生初步掌握該實(shí)驗(yàn)裝置放電方法后,由學(xué)生自己調(diào)研確定研究課題,這樣每組同學(xué)的實(shí)驗(yàn)研究?jī)?nèi)容都不相同,基本上集中在下列幾方面:

  1、最佳的放電條件探索,內(nèi)容包括:探索起輝電壓與氣體壓強(qiáng)之間的關(guān)系;中心截面徑向不同位置電子密度隨氣體壓強(qiáng)之間的關(guān)系。

  2、直流輝光等離子體放電特性,內(nèi)容包括:等離子體參數(shù)與氣體壓強(qiáng)的關(guān)系;在不同的壓強(qiáng)下放電電子密度的空間分布;

  3、磁場(chǎng)對(duì)等離子體約束效果研究,內(nèi)容包括:磁場(chǎng)對(duì)等離子體空間分布的影響--不同位置電子密度與約束磁場(chǎng)強(qiáng)度之間的關(guān)系。

實(shí)驗(yàn)裝置:

  實(shí)驗(yàn)裝置如圖1所示,有一個(gè)半徑 R=15cm 球形玻璃泡制成的真空放電室,在真空室內(nèi)相對(duì)安裝兩只半徑為2.5cm 的圓形平板電極,在裝置兩端放置兩只磁場(chǎng)線(xiàn)圈,一臺(tái)抽速為 2L/s 的機(jī)械泵為系統(tǒng)真空抽氣,極限真空度為 0.6pa,通過(guò)針閥充入Ar氣,壓強(qiáng)在0.6-300pa 之間可調(diào),靜電探針診斷測(cè)量系統(tǒng)布置在垂直的中心截面上,并可徑向移動(dòng)。

  兩只磁場(chǎng)線(xiàn)圈串聯(lián)連接,由同一個(gè)電源供電。通過(guò)改變相互之間的接線(xiàn)方式來(lái)改變磁場(chǎng)位形。如果線(xiàn)圈供電電流由兩只線(xiàn)圈同名端入,磁場(chǎng)位形如圖2a 所示,通過(guò)改變流經(jīng)線(xiàn)圈電流的大小中心磁場(chǎng)強(qiáng)度可在 0-1kGz 之間可調(diào); 如果電流由兩只線(xiàn)圈異名端入,磁場(chǎng)位形如圖 2b所示。

實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:

1、探索系統(tǒng)最佳的放電條件:

  為了確定運(yùn)行控制參數(shù)范圍,做了以下兩個(gè)實(shí)驗(yàn):Ar 氣起輝實(shí)驗(yàn):在不同氣體壓強(qiáng)下,改變放電壓直至起輝放電,并記錄最低的起輝電壓,因此可以得到該裝置起輝電壓隨氣體壓強(qiáng)變化關(guān)系,以便得到獲取等離子體最佳氣體壓強(qiáng)條件;在不同位置測(cè)量電子密度與氣體壓強(qiáng)之間的關(guān)系:在穩(wěn)定放電的情況下,固定放電電壓,給靜電探針加 50V 電壓,調(diào)節(jié)氣體壓強(qiáng)直至放電終止。在不同氣壓下記錄靜電探針電流,該電流為電子飽和流,它的大小代表了電子密度的大小,從而得到電子密度(電子飽和流)與氣體壓強(qiáng)的關(guān)系;

2、電子密度的徑向分布:

  穩(wěn)定放電情況下,在各種不同的氣體壓強(qiáng)條件下,用靜電探針在不同徑向位置測(cè)量電子飽和流,從而得到電子密度(電子飽和流)的徑向分布。

3.電子密度隨約束磁場(chǎng)強(qiáng)度的改變:

  磁場(chǎng)線(xiàn)圈電流由同名端接入,改變線(xiàn)圈電流的大小,用靜電探針在不同的徑向位置測(cè)量電子飽和流,從而得到電子密度(電子飽和流)隨約束磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化。 磁場(chǎng)線(xiàn)圈電流由異名端接入,改變線(xiàn)圈電流的大小,用靜電探針在不同的徑向位置測(cè)量電子飽和流,從而得到電子密度(電子飽和流)隨約束磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

  圖3為起輝電壓與氣體壓強(qiáng)之間的關(guān)系,壓強(qiáng)為 10pa 時(shí)起輝電壓為330V,氣壓較低時(shí),起輝電壓比較高,隨著氣壓的上升,起輝電壓逐漸下降,當(dāng)氣壓上升到34pa起輝電壓降至不到100  V 為最低,隨后起輝電壓又隨著氣壓的上升而升高;

  圖4在不同空間位置電子密度與氣體壓強(qiáng)之間的關(guān)系,在氣體壓強(qiáng)較低時(shí),電子密度較低,隨著氣壓的上升,電子密度逐漸上升,氣壓上升到 34pa時(shí)電子密度上升至最高,隨后電子密度又隨著氣壓的升高而下降; 圖 4 是在裝置放電起輝之后,把放電壓固定在 280V,改變氣壓而得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,與圖3有明顯的對(duì)應(yīng)關(guān)系, 34pa起輝電壓最低,而在相同的放電壓下在該壓強(qiáng)下可以獲得最高的電子密度,表明此時(shí)放電最強(qiáng)烈,也就是說(shuō)該磁控直流輝光等離子體實(shí)驗(yàn)裝置最佳放電條件為34pa。

  圖5 為在穩(wěn)定放電情況下,氣體壓強(qiáng)分別為 36、22、4pa 時(shí),電子密度 ne的徑向分布,氣壓高時(shí)中心電子密度最高,隨著半徑的增加電子密度逐漸下降,邊緣電子密度最低;氣壓較低時(shí)中心電子密度已不是最高了,密度最高處略偏離中心,隨后隨著半徑的增加電子密度逐漸下降,邊緣電子密度最低;氣壓降至 4pa 時(shí),電子密度幾乎降低一個(gè)數(shù)量級(jí),而邊緣電子密度保持原數(shù)值不變。氣壓高時(shí)空間放電的范圍小,氣壓低時(shí)空間放電的范圍大,這是因?yàn)闅鈮焊邥r(shí)中性粒子密度高,電子與中性粒子的碰撞頻率高,電子擴(kuò)散范圍。粴鈮旱蜁r(shí)中性粒子密度低,電子與中性粒子的碰撞頻率低,電子擴(kuò)散范圍大之故。

  圖6所示在穩(wěn)定放電的情況下,外加圖 2a 位形約束磁場(chǎng),在不同的徑向位置上測(cè)得電子密度 ne 隨約束磁感應(yīng)強(qiáng)度 B 的變化曲線(xiàn)。中心電子密度隨磁場(chǎng)增加而增加,邊緣電子密度隨磁場(chǎng)增加而減小。

  圖7所示在穩(wěn)定放電的情況下,外加圖2b位形約束磁場(chǎng),在不同的徑向位置上測(cè)得電子密度 ne 隨約束磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化曲線(xiàn)。中心電子密度隨磁場(chǎng)增加而減小,邊緣電子密度隨磁場(chǎng)增加而增加。

  帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛倫茲力的作用,圍繞磁力線(xiàn)作螺旋運(yùn)動(dòng),帶電粒子在垂直磁場(chǎng)方向受到約束,即帶電粒子不能橫向穿越磁場(chǎng)運(yùn)動(dòng)。磁場(chǎng)位形為圖2a時(shí),放電空間限制在以半徑為 2.5cm 兩圓電極為鼓面,以與兩電極邊緣相切的磁力線(xiàn)所構(gòu)成的腰鼓形空間之中。隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加約束效果會(huì)增強(qiáng),因此中心密度隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加而增加,邊緣密度隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加而減小。

  磁場(chǎng)位形為圖2b時(shí), 帶電粒子被磁力線(xiàn)引導(dǎo)到實(shí)驗(yàn)裝置中垂面的邊緣,因此中垂面上中心密度隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加而減小,邊緣密度隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加而增加。雖然中心密度隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加而減小,但不會(huì)為零,原因有二:

  1 放電特性不僅與磁場(chǎng)有關(guān)還與放電電場(chǎng)有關(guān),帶電粒子還會(huì)沿軸向電場(chǎng)運(yùn)動(dòng),因此中心電子密度不會(huì)為零;

  2 如圖2b會(huì)切磁場(chǎng),會(huì)切中心的磁場(chǎng)最小,帶電粒子沿磁力線(xiàn)作螺旋運(yùn)動(dòng)時(shí),磁場(chǎng)弱的方向帶電粒子的旋轉(zhuǎn)半徑大,帶電粒子沿磁場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)的同時(shí),整體還會(huì)向會(huì)切中心漂移,帶電粒子一旦到達(dá)會(huì)切中心就很難逃離該磁阱2。

結(jié)論

  1.在該磁控直流輝光等離子體實(shí)驗(yàn)裝置上,用 Ar 氣放電獲得直流輝光等離子體存在最佳放電壓強(qiáng) 34pa,在此壓強(qiáng)下起輝電壓最低,同時(shí)可以獲得電子密度最高的等離子體;

  2.電子密度的空間分布隨氣體壓強(qiáng)的不同而發(fā)生改變,密度中心隨壓強(qiáng)降低逐漸向外擴(kuò)展,隨中性粒子密度的減小,電子與中性粒子碰撞機(jī)會(huì)減小,碰撞頻率減小,等離子體擴(kuò)散范圍大;

  3.隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加約束效果會(huì)增強(qiáng),因此中心密度隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加而增加,邊緣密度隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加而減小。

  4.中心電子密度隨磁場(chǎng)的增加而減小, 邊緣電子密度隨磁場(chǎng)的增加開(kāi)始稍有減小而后迅速增加。

  3 和4 條說(shuō)明在放電條件不變的條件下,約束磁場(chǎng)的作用并不能使等離子體參數(shù)得到整體提高,只會(huì)影響等離子體得空間分布。