直流磁過(guò)濾電弧源沉積氧化鋁薄膜的研究

　　直流磁過(guò)濾電弧源沉積氧化鋁薄膜的研究

　　彌謙，王昆，劉哲

　西安工業(yè)大學(xué) 陜西省薄膜技術(shù)與光學(xué)檢測(cè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

　　摘要：采用直流磁過(guò)濾電弧源技術(shù)制備氧化鋁薄膜，研究分析了薄膜制備中氧氣分量和陰極靶電流分別對(duì)薄膜折射率n、沉積速率和消光系數(shù)的影響；采用橢偏法對(duì)所制備薄膜的光學(xué)常數(shù)進(jìn)行測(cè)試，沉積速率則通過(guò)薄膜厚度與沉積時(shí)間的計(jì)算得到。

　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：薄膜折射率n、沉積速率和消光系數(shù)均隨著氧氣分量的增加而降低，而隨著陰極靶電流的升高而增加；分析主要是因?yàn)殡S著氧氣分量和陰極靶電流的變化，基底表面鋁原子和氧氣比例發(fā)生變化，影響薄膜的相關(guān)性能。

　　關(guān)鍵詞：電弧源；氧化鋁；氧氣分量；陰極靶電流