鍍膜裝置蒸發(fā)源發(fā)射形態(tài)與膜厚分布

　　蒸發(fā)源是真空鍍膜裝置中一個非常重要的部件。在多個蒸發(fā)源共存的裝置中，如何在設計中正確選擇蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間的距離就顯得尤為重要，它直接關系到基板涂層均勻性。本篇文章根據蒸發(fā)源與基片之間的物理聯(lián)系入手，分析基片- - 蒸發(fā)源距離對基片涂層均勻性的影響，進而對蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間距離的確定，提出了自己的一些觀點和看法。

　　在各種真空鍍膜裝置中，大家都期望在基片上獲得均勻的涂層。然而，由于受到蒸發(fā)源形式（電阻加熱、感應加熱、電子束加熱、e 型電子槍、電弧蒸發(fā)源和磁控濺射等）、形狀（絲狀、籃狀、坩堝、箔狀、舟狀、小平面狀等）、加熱材料（石墨、導電氮化硼、鎢、鉬等）、加熱器功率大小、涂層厚度及均勻性要求以及蒸發(fā)速率等多種因素的影響，在蒸發(fā)源設計中，如何對蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基板之間的距離以及基片幅寬與蒸發(fā)源數量進行正確的選擇，直接影響著基片涂層的均勻性和質量。因此，用便捷的方法確定蒸發(fā)源和蒸發(fā)源、蒸發(fā)源和基片之間的距離以及不同基片幅寬下的蒸發(fā)源數量，是各種卷繞真空鍍膜裝置在工程設計中需要解決的實際問題。

　　多年來，通過對真空鍍膜裝置中蒸發(fā)源與發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間的距離對基板涂層均性的影響的問題進行了一些探索，對它們之間的一些內在聯(lián)系進行了一些研究和總結，在這里給出了一些經驗公式和計算式，供大家參考。

5、結束語

　　在卷繞鍍膜裝置的設計中，對于多大幅寬的基片，應該配置多少蒸發(fā)源？蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間的距離如何確定？目前尚無文獻明確論述和界定。本人根據多年從事真空技術工作的經驗和對國內外連續(xù)鍍膜裝置的研究，對蒸發(fā)源數量n 的確定以及蒸發(fā)源與基板之間距離h的選擇給出了便捷的經驗公式和計算式，經驗證實用可靠，供大家參考，期望能給大家的工作帶來方便。不妥之處請給與批評指正。

參考文獻

　　[1] 達道安. 真空設計手冊[M]. 北京：國防工業(yè)出版社，2004.
　　[2] 王福貞, 等. 表面沉積技術[M]. 北京：機械工業(yè)出版社，1989.