雙微通道板紫外像增強(qiáng)器工作特性研究

2013-08-23 程宏昌 長春理工大學(xué)理學(xué)院

  為了研究雙微通道板(MCP) 對紫外像增強(qiáng)器輻射增益的影響,本文利用南京理工大學(xué)制造的寬光譜像管增益測試儀,對單MCP 和雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的輻射增益分別進(jìn)行了測試分析。通過改變陰極電壓、MCP 輸出端電壓這兩個(gè)參數(shù),研究了紫外像增強(qiáng)器輻射增益的變化情況。結(jié)果表明,相同工作狀態(tài)下,雙MCP 的輻射增益是單MCP 的100 倍,這一現(xiàn)象與日本Hamamatsu 公司報(bào)道的數(shù)據(jù)十分吻合。單MCP 紫外像增強(qiáng)器,陰極飽和電壓在300 V 附近,而雙MCP 紫外像增強(qiáng)器,陰極電壓在300 V 附近未見飽和現(xiàn)象出現(xiàn)。單MCP 和雙MCP 紫外像增強(qiáng)器中MCP 的工作電壓分別為800 和1100 V。此研究有助于探討雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的合適工作參數(shù),對提高紫外輻射探測成像技術(shù)具有十分重要的意義。

  日盲型紫外像增強(qiáng)器具有良好的日盲特性、高紫外靈敏度、可大面積凝視成像和噪聲小等優(yōu)點(diǎn),已在軍民兩用市場上得到了廣泛的應(yīng)用。軍用上,紫外告警系統(tǒng)已被歐美等軍事強(qiáng)國大量裝備,如AN/AAR-57A 型已經(jīng)發(fā)展到AN/AAR-57A( V) 型,其具有虛警率低、被動(dòng)成像、可與紅外告警系統(tǒng)構(gòu)成雙色系統(tǒng)等優(yōu)點(diǎn)。民用上,可在陽光下用于公安刑偵上指紋識別、照相和記錄等。根據(jù)所含微通道板( MCP) 的數(shù)量,紫外像增強(qiáng)器可分為單、雙和三MCP 紫外像增強(qiáng)器。這些紫外像增強(qiáng)器的性能因MCP 的數(shù)量不同而有所差異,特別體現(xiàn)在增益和分辨率性能上。單MCP日盲型紫外像增強(qiáng)器在國內(nèi)已經(jīng)研制成功,其技術(shù)指標(biāo)與國外相當(dāng)。但是,因?yàn)閱蜯CP 紫外像增強(qiáng)器輻射增益低,其在紫外告警和高壓電線絕緣柱電暈探測等領(lǐng)域中的使用受到極大的限制。因此,多MCP 探測器被廣泛研究,且其高增益特性已被國外眾多國家的研究結(jié)果所證實(shí)。Hamamatsu報(bào)道了三種增益的定義。PROXITRONIC報(bào)道了雙MCP 微光像增強(qiáng)器的光譜增益達(dá)到了108;John Martin 等報(bào)告了雙MCP 的GaAs 光陰極光電倍增管的性能。Ottmar Jagutzki等報(bào)道了三個(gè)MCP 構(gòu)成的時(shí)間-位置敏感交叉延遲線輸出光子計(jì)數(shù)器的性能。Hamamatsu 報(bào)道了V4170U-23雙MCP/ 日盲型0紫外像增強(qiáng)器的性能,輻射增益為G545nm/G254nm= 1×106。關(guān)于雙MCP 對電子增益的影響已開展了很多研究工作,雙MCP 能夠增加電子增益,這已成為公認(rèn)的事實(shí)。但是,由于先前國內(nèi)一直沒有研制出雙MCP 紫外像增強(qiáng)器,所以如何正確使用雙MCP 紫外像增強(qiáng)器,使其發(fā)揮其正常水平一直處于理論分析的層面,進(jìn)而關(guān)于兩塊MCP 對紫外像增強(qiáng)器輻射增益影響的報(bào)道甚少。

  將單MCP 和雙MCP 紫外像增強(qiáng)器作為研究對象,利用南京理工大學(xué)制造的寬光譜像管增益測試儀,通過改變陰極電壓、MCP 兩端電壓這兩種不同工作條件下的紫外像增強(qiáng)器的輻射增益進(jìn)行了對比測試與分析。此研究有助于探索正確使用雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的有效途徑,掌握其性能特點(diǎn),使其在微弱紫外探測成像領(lǐng)域發(fā)揮其技術(shù)優(yōu)勢具有十分重要的意義。

1、紫外像增強(qiáng)器結(jié)構(gòu)

  實(shí)驗(yàn)用單MCP 和雙MCP 紫外像增強(qiáng)器均由陶瓷-金屬制成的雙近貼聚焦結(jié)構(gòu),如圖1 所示。工作原理為入射紫外光照射紫外像增強(qiáng)器的光電陰極時(shí)激發(fā)出光電子,在前近貼聚焦系統(tǒng)的作用下,加速輸運(yùn)到MCP 輸入面,經(jīng)過MCP 的電子倍增系統(tǒng)后,大量電子轟擊熒光屏成像。圖1 中紫外像增強(qiáng)器中的光電陰極均為Cs2Te,熒光屏為P20 熒光屏,其工作電壓為+ 4.2 kV。

紫外像增強(qiáng)器的結(jié)構(gòu)示意圖

圖1 紫外像增強(qiáng)器的結(jié)構(gòu)示意圖

2、輻射增益定義

  輻射增益GK 的定義為熒光屏發(fā)射峰值波長處輻射出射密度與光陰極響應(yīng)峰值波長處入射度照度之比。本文所研究的紫外像增強(qiáng)器的光電陰極窗口和熒光屏窗口的尺寸相同,均為直徑18 mm。因此,GK 可定義為熒光屏發(fā)射峰值波長處的輻射功率與光陰極響應(yīng)峰值波長處入射功率之比。利用輻射功率計(jì),分別測量熒光屏波長555 nm 處的輻射功率P1 和紫外光源波長254 nm 處的入射到陰極面的輻射功率P2,從而得到

3、實(shí)驗(yàn)測試

  分別以單MCP 和雙MCP 紫外像增強(qiáng)器為研究對象,通過改變陰極電壓、MCP 兩端電壓利用寬光譜像管增益測試儀,對不同工作條件下的紫外像增強(qiáng)器的輻射增益進(jìn)行了對比測試與分析。在紫外光源波長為254 nm 處,單MCP 紫外像增強(qiáng)器的光電陰極靈敏度為28.7 mA/W,雙MCP 是30 mA/W。測試過程中,兩種紫外像增強(qiáng)器的陰極面輻射照度均為7.38 × 10-10 W。

3.1、陰極電壓對紫外像增強(qiáng)器輻射增益的影響

  在其它電壓不變的條件下,通過改變陰極所加電壓,測試兩種紫外像增強(qiáng)器的輻射增益值,并繪制成曲線。測試時(shí),對于單MCP 和雙MCP 紫外像增強(qiáng)器而言,MCP 輸入端均接地,MCP 輸出端電壓分別為+ 800 和+ 1600 V,熒光屏電壓均為+ 4200 V。對于單MCP 紫外像增強(qiáng)器,陰極所加電壓從- 100V 變化到- 300 V;對于雙MCP 紫外像增強(qiáng)器,陰極所加電壓從0 V 變化到- 300 V,兩者的調(diào)節(jié)步長均為50 V。圖2 為輻射增益隨陰極電壓的變化曲線。橫坐標(biāo)為陰極電壓的絕對值,變化范圍為100~ 300V。左側(cè)縱坐標(biāo)為單MCP 紫外像增強(qiáng)器的輻射增益值,最大值為900,右側(cè)縱坐標(biāo)為雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的輻射增益值,最大值為1.2 × 105,兩者相差近130 倍。

  由單MCP 紫外像增強(qiáng)器的輻射增益隨陰極電壓的變化曲線可以看出,當(dāng)陰極電壓較低時(shí),輻射增益的增加速度較快。隨著電壓的升高,輻射增益的增加速度逐漸變慢。當(dāng)陰極電壓在300 V 附近時(shí),輻射增益幾乎不再增長,成為一條與橫坐標(biāo)軸平行的直線,說明此時(shí)光電陰極的光電發(fā)射已經(jīng)達(dá)到了最佳工作狀態(tài)。從雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的曲線可見,在陰極電壓變化過程中,輻射增益始終以相同的增加速度直線上升,陰極電壓在300 V 附近時(shí)未見飽和現(xiàn)象發(fā)生。

輻射增益隨陰極電壓的變化曲線

圖2 輻射增益隨陰極電壓的變化曲線

3.2、MCP 工作電壓對紫外像增強(qiáng)器輻射增益的影響

  通過改變MCP 輸出端電壓,在其他電壓不變的條件下,測試紫外像增強(qiáng)器在不同MCP 電壓條件下的輻射增益值,并繪制成變化曲線。測試時(shí),對于單MCP 和雙MCP 紫外像增強(qiáng)器而言,陰極電壓均為-300 V,MCP 輸入端均接地,熒光屏電壓均為+ 4200V。對于單MCP 紫外像增強(qiáng)器,MCP 輸出端電壓的變化范圍為+ 500~ + 800 V;對于雙MCP 紫外像增強(qiáng)器,MCP 輸出端電壓的變化范圍為+ 700~ + 1200V,兩種紫外像增強(qiáng)器的調(diào)節(jié)步長均為50 V。圖3為紫外像增強(qiáng)器輻射增益隨MCP 工作電壓的變化曲線。橫坐標(biāo)為MCP 工作電壓,左側(cè)縱坐標(biāo)為單MCP 紫外像管輻射增益值,最大值為900 W/W;右側(cè)縱坐標(biāo)為雙MCP 紫外像管輻射增益的值,最大值為1.2 × 105 W/W,兩者相差近130 倍。

紫外像增強(qiáng)器輻射增益隨MCP 工作電壓的變化曲線

圖3 紫外像增強(qiáng)器輻射增益隨MCP 工作電壓的變化曲線

  從圖3 可以看出,對于紫外像增強(qiáng)器而言,隨著MCP 電壓的升高,輻射增益增加。當(dāng)MCP 電壓大于700 V 時(shí),單MCP 紫外像增強(qiáng)器輻射增益與MCP 電壓幾乎為線性關(guān)系,此狀態(tài)下的MCP 達(dá)到了臨界工作狀態(tài);當(dāng)MCP 電壓為800 V 時(shí),單MCP 紫外像增強(qiáng)器輻射增益出現(xiàn)變緩的趨勢,幾乎達(dá)到了峰值,這一現(xiàn)象說明單MCP 紫外像增強(qiáng)器中MCP 電壓對輻射增益影響的線性區(qū)域在700~ 800 V。從雙MCP紫外像增強(qiáng)器輻射增益與MCP 電壓的變化曲線可以看出,當(dāng)MCP 電壓在700~ 1100 V 之間時(shí),輻射增益隨著MCP 電壓的變化情況成線性增長趨勢;當(dāng)MCP 電壓大于1100 V 時(shí),輻射增益隨著MCP 電壓的增長速度逐漸變緩,可能是雙MCP 像增強(qiáng)器的第2 塊MCP 的電流自飽和作用所致。

4、討論與分析

  從圖2 和圖3 可見,上述實(shí)驗(yàn)的工作條件下,單MCP 紫外像增強(qiáng)器的輻射增益的最大值為1.5 ×103,雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的輻射增益的最大值為2.1 × 105。雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的輻射增益約為單MCP 的100 倍,這與日本Hamamatsu 報(bào)告的倍數(shù)關(guān)系十分吻合。

  從圖2 可見,當(dāng)單MCP 紫外像增強(qiáng)器的光電陰極達(dá)到飽和光電流時(shí),陰極電壓在300 V 附近;雙MCP 紫外像增強(qiáng)器陰極電壓在300 V 附近時(shí)未出現(xiàn)飽和。分析原因可知。像增強(qiáng)器在正常工作時(shí),維持光電發(fā)射要依賴于光陰極的真空界面有向內(nèi)的電場強(qiáng)度。這一電場是由電子光學(xué)系統(tǒng)提供的。光陰極的光電發(fā)射將產(chǎn)生空間電荷。此空間電荷所形成的附件電場與電子光學(xué)系統(tǒng)的電場相反。直到兩者電場強(qiáng)度相互抵消時(shí),光陰極產(chǎn)生的光電流成為飽和光電流。雙MCP 紫外像增強(qiáng)器和單MCP 紫外像增強(qiáng)器的光陰極都是Cs2Te,但是由于雙MCP 紫外像增強(qiáng)器安裝有2 塊MCP,第二塊MCP 與光陰極間距比單MCP 紫外像增強(qiáng)器中MCP 與光陰極之間的間距大,因此要使此空間內(nèi)保持相同的電場強(qiáng)度,就要求雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的光陰極與MCP 之間的電壓要高于單MCP 紫外像增強(qiáng)器這兩極間電壓。

  從圖3 可以看出,單MCP 和雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的MCP 最佳工作電壓范圍分別為700~ 800 V 和700~ 1100 V。對于雙MCP 紫外像增強(qiáng)器而言,雖然第二級的MCP 和第一級的MCP 質(zhì)量完全相同,但是像管制作過程中的工藝因素差異,第二級MCP 的增益值將大于第一級MCP。在第一級MCP 內(nèi)的電子倍增作用下,到達(dá)第二級MCP 的入射電子密度將超過第一級MCP 的入射電子密度。如果MCP 兩端的電壓過高,那么第二級MCP 內(nèi)將會出現(xiàn)電流飽和效應(yīng),使得增益不再上升。鑒于以上原因,雙MCP紫外像增強(qiáng)器的正常工作電壓不會是單MCP 紫外像增強(qiáng)器的兩倍。

5、結(jié)論

  利用南京理工大學(xué)制造的寬光譜像管增益測試儀,通過改變陰極電壓、MCP 輸出端電壓對單MCP和雙MCP 紫外微光像增強(qiáng)器的輻射增益分別進(jìn)行了測試分析。雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的輻射增益比單MCP 紫外像管的輻射增益高100 倍,這與國外報(bào)道的數(shù)據(jù)相吻合。單MCP 紫外像增強(qiáng)器的陰極電壓為300 V 左右時(shí),光電陰極達(dá)到飽和光電流,而雙MCP 的電壓值在300 V 附近時(shí)未見光電陰極飽和光電流出現(xiàn)。雙MCP 紫外像增強(qiáng)器的MCP 正常工作電壓為700~ 1100 V,而不是單MCP 的兩倍。因此采用雙MCP 紫外像增強(qiáng)器探測更微弱的紫外輻射。本文開展的研究對于更微弱的紫外輻射探測成像技術(shù)具有重要意義。